驱动电路计划是功率半导体利用的难点，波及到功率半导体的静态进程把持及器件的维护，实际性很强。为了便利实现牢靠的驱动计划，英飞凌的驱动集成电路自带了一些主要的功效，本系列文章以浏览杂谈的方法讲授怎样准确懂得跟利用这些功效，也倡议读者珍藏跟浏览推举的材料以作参考。本文援用地点：驱动电路有两类365bet网页版，断绝型的驱动电路跟电平移位驱动电路，他们对电源的请求纷歧样，断绝型的驱动电路须要断绝电源，驱动集成电路个别都支撑正负电源，而电平移位驱动电路个别采取自举电源，个别是单极性正电源。图1：1ED332xMC12N系列电断绝单通道驱动IC的输出侧框图注：典范型号1ED3323MC12N 8.5A,5.7kV(rms)单通道断绝栅极驱动器，存在短路维护、有源米勒钳位跟软关断功效，经由过程UL 1577跟VDE 0884-11认证从1ED332xMC12N框图能够看出，其有VCC2正电源端，VEE2负电源端跟接地端GND2。正电源对IGBT、MOSFET跟SiC MOSFET正电源的电压值有明白的倡议值，它决议了驱动脉冲的幅值，IGBT个别为+15V，Si MOSFET为10V，而SiC MOSFET为15V~18V。■ 正电源与饱跟压降差别的驱动脉冲的幅值决议了器件的饱跟压降即静态消耗，以IKW40N120T2 40A 1200V IGBT为例，当驱动脉冲幅值为VGE=15V，50A时的饱跟压降在2.7V，假如下降到VGE=11V时，饱跟压降回升到3.5V，假如再降栅压，IGBT就将退出饱跟，静态消耗急剧增添，这就是为什么驱动器会带UVLO功效。反过去，假如驱动电压进步，VGE=17V，饱跟压降降到2.5V，能够无效下降导通消耗。摘自IKW40N120T2 40A 1200V IGBT数据手册■ 正电源与短路电流IGBT短路蒙受才能是与驱动正电压有关，驱动电压VGE高，短路电流年沙巴体育app夜，短路蒙受时光短，反过去驱动电压低短路电流小，短路蒙受时光长，见下表。当驱动电压回升到18V，短路电流会增添45%。而短路蒙受时光从10us，降到了6us，而静态消耗下降了10%。对采取无磁芯变压器的驱动IC，能够2us内关断IGBT短路电流，然而过快的短路呼应在高噪声情况中十分轻易误触发。别的，恰当进步驱动电压偶然是可行的，但要留神到，短路产生时，因为米勒电容，栅极电压被举高，这时就沙巴官网入口很伤害。摘自IKW40N120T2 40A 1200V IGBT数据手册负电源负电压能够进步功率器件的抗烦扰才能，也能够放慢关断速率，负电压能够在划定范畴内拔取，重要斟酌抗烦扰才能，驱动功率（由于驱动功率与∆U成正比，PGE=fSW·QG·ΔU，负电压年夜，须要驱动功率年夜）跟电源拓扑的庞杂水平。▲ 寄生导通负电源电压不敷会增添寄生导通的危险，包含经由过程米勒电容寄生导通跟经由过程寄生电感寄生导通。▲ 米勒电容的寄生导通当开明半桥中的下桥臂IGBT时，上桥臂的IGBT/二极管两头的电压会产生dvCE/dt变更。这会发生米勒电流iCG，从而对上桥臂的IGBT寄生电容CCG充电。电容CCG跟CGE构成一个电容分压。电流iCG流经米勒电容、串联电阻、CGE跟直流母线。假如栅极电阻上的压降超越IGBT的阈值电压，就会呈现寄生导通。充足幅值的负电压能够拉低栅极电压，很好地防止寄生导通。